ZUR STELLUNG VON VERMITTLERORGANEN IM TRANSPORTWESEN = LA SITUATION DES ORGANES MEDIATEURS DES SYSTEMES DE TRANSPORTMATTHAI J.1972; WISSENSCH. Z. HOCHSCH. VERK.-WES. "FRIEDRICH LIST" DRESDEN; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 19; NO 2; PP. 315-328; BIBL. 21 REF.Serial Issue

Le programme national brésilien d'allaitement maternel = The bresilian national breast feeding programMATTHAI, J.Les Carnets de l'enfance. 1983, Num 61-62, pp 245-269, issn 0576-7989Article

BEITRAG ZUR THEORIE DER TRANSPORTMAERKTE = CONTRIBUTION A LA THEORIE DES MARCHES DE TRANSPORTMATTHAI J; RINGELHAN H.1972; WISSENSCH. Z. HOCHSCH. VERK.-WES. "FRIEDRICH LIST" DRESDEN; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 19; NO 2; PP. 299-313; BIBL. 15 REF.Serial Issue

Vitamin E updatedMATTHAI, J.Indian journal of pediatrics. 1996, Vol 63, Num 2, pp 242-253, issn 0019-5456Article

FLASH LAMP ANNEALING OF ARSENIC IMPLANTED SILICONKLABES R; MATTHAI J; VOELSKOW M et al.1981; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1981; VOL. 66; NO 1; PP. 261-266; ABS. GER; BIBL. 14 REF.Article

Urinalysis in urinary tract infectionMATTHAI, J; RAMASWAMY, M.Indian journal of pediatrics. 1995, Vol 62, Num 6, pp 713-716, issn 0019-5456Article

Ion-beam-induced epitaxial crystallisation (IBIEC) of amorphous silicon layers produced by chemical vapour depositionSKORUPA, W; VOELSKOW, M; MATTHAI, J et al.Electronics Letters. 1988, Vol 24, Num 14, pp 875-876, issn 0013-5194Article

A peculiarity of ion beam induced epitaxial crystallization with low implantation energies applied to doped amorphous silicon layersSKORUPA, W; VOELSKOW, M; MATTHAI, J et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1987, Vol 101, Num 2, pp K101-K105, issn 0031-8965Article

Acinetobacter sepsis in neonatesCHRISTO, G. G; VIJAYA SHENOY; MATTHAI, J et al.Indian pediatrics. 1993, Vol 30, Num 12, pp 1413-1416, issn 0019-6061Article

Structure of annealed polycrystalline silicon films. I: RecrystallizationEDELMAN, F. L; HEYDENREICH, J; HOEHL, D et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1986, Vol 98, Num 2, pp 383-390, issn 0031-8965Article

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Zur Herstellung einkristalliner Siliciumschichtbereiche auf isolierenden, amorphen Substraten mittels Graphoepitaxie = Préparation de domaines monocristallins de silicium sur des supports amorphes et isolants à l'aide de la graphoépitaxieERBEN, J.-W; SCHARFF, W; WEISSMANTEL, C et al.Wissenschaftliche Zeitschrift der Technischen Hochschule Karl-Marx-Stadt. 1983, Vol 25, Num 2, pp 277-284, issn 0372-7610Article